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LM2726M、LM2726M/NOPB、LM2726MX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM2726M LM2726M/NOPB LM2726MX

描述 MOSFET DRVR 3.2A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N RailMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsDriver 3.2A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 7.00V (max) 7.00V (max) -

上升/下降时间 17ns, 12ns 17ns, 12ns 17ns, 12ns

输出接口数 2 2 -

耗散功率 720 mW 0.72 W -

上升时间 - 17 ns -

下降时间 - 14 ns -

下降时间(Max) 14 ns 14 ns -

上升时间(Max) 17 ns 17 ns -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

耗散功率(Max) 720 mW 720 mW -

电源电压 4V ~ 7V 4V ~ 7V 4V ~ 7V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 125℃ (TJ) 0℃ ~ 125℃ (TJ) 0℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead