电源电压DC 7.00V max
上升/下降时间 17ns, 12ns
输出接口数 2
耗散功率 720 mW
下降时间Max 14 ns
上升时间Max 17 ns
耗散功率Max 720 mW
电源电压 4V ~ 7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
LM2726M引脚图
LM2726M封装图
LM2726M封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LM2726M | TI 德州仪器 | MOSFET DRVR 3.2A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N Rail | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM2726M 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 7V 8Pin | 当前型号 | MOSFET DRVR 3.2A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N Rail | 当前型号 |
| 型号： LM2726MX 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin | 完全替代 | Driver 3.2A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R | LM2726M和LM2726MX的区别 |
| 型号： LM2726M/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 7V 8Pin | 类似代替 | MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments | LM2726M和LM2726M/NOPB的区别 |
