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BD14016S、BD140G、BD1406S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD14016S BD140G BD1406S

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 3 3 -

耗散功率 1.25 W 1.25 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - 250

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -1.50 A 1.50 A -

极性 PNP PNP, P-Channel -

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

直流电流增益(hFE) 40 40 -

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW -

针脚数 - 3 -

长度 8 mm - 8 mm

宽度 3.25 mm - 3.25 mm

高度 11.2 mm - 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Bulk -