BD14016S、BD140G、BD1406S对比区别
描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR BD140G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 1.25 W 1.25 W 12.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 250 - 250
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -
额定电流 -1.50 A 1.50 A -
极性 PNP PNP, P-Channel -
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -
直流电流增益(hFE) 40 40 -
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW -
针脚数 - 3 -
长度 8 mm - 8 mm
宽度 3.25 mm - 3.25 mm
高度 11.2 mm - 11 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Bulk Bulk -