BD14016S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BD14016S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.50 A
极性 PNP
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD14016S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD14016S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD14016S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -80V -1.5A 1250mW | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： BD14016STU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -80V -1.5A 1250mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD14016STU. 双极性晶体管, PNP, -80V | BD14016S和BD14016STU的区别 |
| 型号： BD1406S 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126-3 | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | BD14016S和BD1406S的区别 |
| 型号： BD140G 品牌： 安森美 封装： TO-126 PNP -80V 1.5A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD140G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE | BD14016S和BD140G的区别 |