IRF740B、STP11NK40Z、IRF740对比区别
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 400 V 400 V
额定电流 - 9.00 A 10.0 A
额定功率 - 110 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 430 mΩ 0.55 Ω 550 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 134 W 110 W 125 W
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V
漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 9.00 A 10.0 A
上升时间 80 ns 20 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 134 W 110 W 125 W
下降时间 85 ns 18 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 134W (Tc) 110W (Tc) 125W (Tc)
通道数 1 - 1
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -