
额定电压DC 400 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
漏源极电阻 550 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF740 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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