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IRF740中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 10.0 A

通道数 1

漏源极电阻 550 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IRF740引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF740 ST Microelectronics 意法半导体 N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET 搜索库存
替代型号IRF740
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF740

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 10A 550mohms

当前型号

N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

当前型号

型号: STP11NB40

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 480mohms

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