IRF740B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRF740B中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 430 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 134 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 134 W
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 134W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF740B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF740B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF740B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 10A 430mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP7NK40Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 400V 5.4A 1Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP7NK40Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V | IRF740B和STP7NK40Z的区别 |
| 型号： IRF740PBF 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 400V 10A 550mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF740B和IRF740PBF的区别 |
| 型号： STP11NK40Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 400V 9A 550mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRF740B和STP11NK40Z的区别 |