STP38N65M5、STW38N65M5、STP35N65M5对比区别
型号 STP38N65M5 STW38N65M5 STP35N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.073 Ω 0.073 Ω 0.085 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 190 W 190 W 160 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) - 30A 27A
上升时间 9 ns 9 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @100V(Vds) 3000pF @100V(Vds) 3750pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 190 W 160 W
下降时间 9 ns 9 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 160W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 10.4 mm 15.75 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.6 mm
高度 15.75 mm 20.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99