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STP38N65M5

STP38N65M5

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 650V 30A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STP38N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 190000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP38N65M5 系列 650 V 95 mOhm N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 30A 95mOhm TO220-3 **


力源芯城:
650V,30A,N沟道MOSFET


STP38N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.073 Ω

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 3000pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP38N65M5引脚图与封装图
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在线购买STP38N65M5
型号 制造商 描述 购买
STP38N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP38N65M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP38N65M5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220

当前型号

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STW38N65M5

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3 N-CH 650V 30A

完全替代

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STP38N65M5和STW38N65M5的区别

型号: STP35N65M5

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 650V 27A

类似代替

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STP38N65M5和STP35N65M5的区别

型号: STW35N65M5

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3

功能相似

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STP38N65M5和STW35N65M5的区别