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STP35N65M5

STP35N65M5

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N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB


欧时:
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
STP35N65M5 系列 650 V 98 mOhm N 沟道 MDmesh™ V 功率 MosFet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 27A 98mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 27A TO-220


STP35N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3750pF @100VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP35N65M5引脚图与封装图
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在线购买STP35N65M5
型号 制造商 描述 购买
STP35N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP35N65M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP35N65M5

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 650V 27A

当前型号

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STW35N65M5

品牌： 意法半导体

封装： TO-247-3

完全替代

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP35N65M5和STW35N65M5的区别

型号： STI35N65M5

品牌： 意法半导体

封装： TO-262-3 N-Channel 650V 27A

完全替代

N沟道650 V， 0.085 I© ， 27 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

STP35N65M5和STI35N65M5的区别

型号： STP38N65M5

品牌： 意法半导体

封装： TO-220

类似代替

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP35N65M5和STP38N65M5的区别