2N2906A、BC856BM3T5G、JAN2N2906A对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N2906A BC856BM3T5G JAN2N2906A

描述 MULTICOMP  2N2906A  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFENPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Multicomp ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18 SOT-723-3 TO-18-3

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) - -65.0 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 400 mW 265 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 265 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 40 220 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 265 mW 500 mW

长度 - 1.25 mm -

宽度 - 0.85 mm -

高度 - 0.55 mm -

封装 TO-18 SOT-723-3 TO-18-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -