JAN2N2906A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2906A中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18-3
外形尺寸
封装 TO-18-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2906A引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2906A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2906A | Microsemi 美高森美 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2906A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2906A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18-3 PNP 500mW | 当前型号 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N2906AL 品牌： 美高森美 封装： TO-18 PNP | 完全替代 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | JAN2N2906A和2N2906AL的区别 |
| 型号： JANS2N2906A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 PNP | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N2906A和JANS2N2906A的区别 |
| 型号： JANTXV2N2906A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 PNP | 类似代替 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | JAN2N2906A和JANTXV2N2906A的区别 |