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MJE802、MJE802G、BD679对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE802 MJE802G BD679

描述 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYON SEMICONDUCTOR  MJE802G.  双极晶体管STMICROELECTRONICS  BD679  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 40.0 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80.0 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 80 V -

输出电流 - 4 A -

针脚数 - 3 3

额定功率(Max) - 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 100 750

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW 40000 mW

输入电压 - 5 V -

封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3

长度 - 7.8 mm 7.8 mm

宽度 - 2.66 mm 2.7 mm

高度 - - 10.8 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

最小包装 500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)