额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 40.0 W
击穿电压集电极-发射极 80.0 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750
安装方式 Through Hole
封装 TO-225-3
封装 TO-225-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
最小包装 500
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MJE802 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MJE802 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-225-3 N-Channel 80V 4A 40W | 当前型号 | 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY | 当前型号 | |
型号: MJE802G 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJE802G. 双极晶体管 | MJE802和MJE802G的区别 | |
型号: BD679A 品牌: 意法半导体 封装: TO-225AA NPN 80V 4A 40000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD679A 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | MJE802和BD679A的区别 | |
型号: BD679 品牌: 意法半导体 封装: SOT-32 NPN 80V 4A 40000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD679 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | MJE802和BD679的区别 |