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BCP53-16、BCP53-16,135、BCP5316E6433HTMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP53-16 BCP53-16,135 BCP5316E6433HTMA1

描述 低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTORTRANS PNP 80V 1A SOT223SOT-223 PNP 80V 1A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Nexperia (安世) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定功率 - 1.35 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.6 W 1 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1600 mW 1350 mW -

频率 50 MHz - -

针脚数 4 - -

耗散功率 1.6 W - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

极性 - - PNP

集电极最大允许电流 - - 1A

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free