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BCP53-16

低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -100V

\---|---

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -80V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~250

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -500mV/-0.5V

耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.6W

Description & Applications| LOW POWER PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP MEDIUM VOLTAGE TRANSISTOR SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS BCP56-16 APPLICATIONS MEDIUM VOLTAGE LOAD SWITCH TRANSISTORS OUTPUT STAGE FOR AUDIO AMPLIFIERS CIRCUITS AUTOMOTIVE POST-VOLTAGE REGULATION

描述与应用| 低功率PNP 硅外延平面PNP中等电压晶体管 SOT-223塑料包装的表面安装电路 卷带式包装 NPN互补型IS BCP56-16 应用 中高压负荷开关晶体管 音频放大器电路的输出级 汽车压后的规例

BCP53-16中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

针脚数 4

耗散功率 1.6 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 1.6 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP53-16引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCP53-16 ST Microelectronics 意法半导体 低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BCP53-16
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP53-16

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOT-223 1600mW

当前型号

低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR

当前型号

型号: BCP53-16,115

品牌: 安世

封装:

功能相似

Nexperia BCP53-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:100, 145 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装

BCP53-16和BCP53-16,115的区别

型号: BCP53-16,135

品牌: 安世

封装:

功能相似

TRANS PNP 80V 1A SOT223

BCP53-16和BCP53-16,135的区别

型号: BCP 53-16 E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 -80V -1A 2000mW

功能相似

Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

BCP53-16和BCP 53-16 E6327的区别