DS1220AB-200IND、DS1220AB-200IND+、DS1220AB-100IND+对比区别

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型号 DS1220AB-200IND DS1220AB-200IND+ DS1220AB-100IND+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPNon-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - -

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - -

时钟频率 200 GHz - -

存取时间 200 ns 200 ns 100 ns

内存容量 16000 B - -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

长度 - 38.1 mm 38.1 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 10.67 mm 10.67 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅