DS1220AB-100IND+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS1220AB-100IND+中文资料参数规格
技术参数
存取时间 100 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 EDIP-24
外形尺寸
长度 38.1 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.67 mm
封装 EDIP-24
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DS1220AB-100IND+引脚图与封装图 
DS1220AB-100IND+引脚图
DS1220AB-100IND+封装图
DS1220AB-100IND+封装焊盘图
在线购买DS1220AB-100IND+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1220AB-100IND+ | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1220AB-100IND+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1220AB-100IND+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： EDIP-24 | 当前型号 | IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1220AB-100 品牌： 美信 封装： DIP 2000B 5V 100ns 24Pin | 类似代替 | 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM | DS1220AB-100IND+和DS1220AB-100的区别 |
| 型号： DS1220AB-100IND 品牌： 美信 封装： DIP 16000B 5V 100ns 24Pin | 类似代替 | 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM | DS1220AB-100IND+和DS1220AB-100IND的区别 |
| 型号： DS1220AD-100IND+ 品牌： 美信 封装： DIP 2000B 5V 100ns 24Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-100IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1220AB-100IND+和DS1220AD-100IND+的区别 |