DS1220AB-200IND

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220AB-200IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 16000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

DS1220AB-200IND引脚图与封装图

DS1220AB-200IND引脚图

DS1220AB-200IND封装图

DS1220AB-200IND封装焊盘图

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型号	制造商	描述	购买
DS1220AB-200IND	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP	搜索库存

替代型号DS1220AB-200IND

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1220AB-200IND 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 16000B 5V 200ns 24Pin	当前型号	IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP	当前型号
型号： DS1220AB-200+ 品牌：美信封装： DIP 2000B 5V 200ns 24Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1220AB-200IND和DS1220AB-200+的区别
型号： DS1220AB-200IND+ 品牌：美信封装： MOD	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24	DS1220AB-200IND和DS1220AB-200IND+的区别
型号： DS1220AD-200+ 品牌：美信封装： DIP 2000B 5V 200ns 24Pin	功能相似	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1220AB-200IND和DS1220AD-200+的区别