2V7002LT1G、TN0606N3-G、2N7002TA对比区别

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型号 2V7002LT1G TN0606N3-G 2N7002TA

描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2 VDIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 7.5 Ω 1 Ω 7.5 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 225 mW 1 W 330 mW

阈值电压 1 V 2 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.115A 0.5A 115 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 1W (Tc) 330mW (Ta)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 115 mA

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±40.0 V

额定功率 - 1 W -

上升时间 - 14 ns -

下降时间 - 16 ns -

长度 3.04 mm 5.21 mm -

宽度 1.4 mm 4.19 mm -

高度 1.01 mm 5.33 mm -

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99