TN0606N3-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TN0606N3-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.5A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TN0606N3-G引脚图与封装图 
TN0606N3-G引脚图
TN0606N3-G封装图
TN0606N3-G封装焊盘图
在线购买TN0606N3-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0606N3-G | Microchip 微芯 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号TN0606N3-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN0606N3-G 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 N-CH 60V 0.5A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： 2V7002LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 0.115A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | TN0606N3-G和2V7002LT1G的区别 |
| 型号： 2N7002K-7 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 60V 300mA | 功能相似 | 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 | TN0606N3-G和2N7002K-7的区别 |
| 型号： 2N6660 品牌： 微芯 封装： TO-205AD | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V | TN0606N3-G和2N6660的区别 |