MJE200G、MJE200STU、NTE184对比区别

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型号 MJE200G MJE200STU NTE184

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE200G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126NTE ELECTRONICS  NTE184  双极性功率晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

频率 65 MHz 65 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 5.00 A 5.00 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 15 W 15 W 40 W

增益频宽积 65 MHz 65 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 25 V 80.0 V

集电极最大允许电流 5A 5A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 180 -

额定功率(Max) 15 W 15 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 15000 mW 15000 mW 40000 mW

针脚数 3 - 3

热阻 8.34℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 10 - 80

长度 7.8 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 11.2 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951