MJE200STU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MJE200STU中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 15 W
增益频宽积 65 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 15000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE200STU引脚图与封装图
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在线购买MJE200STU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE200STU | Fairchild 飞兆/仙童 | MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126 | 搜索库存 |
替代型号MJE200STU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE200STU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 25V 5A 15000mW | 当前型号 | MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126 | 当前型号 |
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| 型号： MJE200TSTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 25V 5A | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | MJE200STU和MJE200TSTU的区别 |
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