RSQ020N03TR、SI3456DDV-T1-E3、FDC855N对比区别

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型号 RSQ020N03TR SI3456DDV-T1-E3 FDC855N

描述 TSMT N-CH 30V 2AN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC855N  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

漏源极电阻 - 40 mΩ 0.0207 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 125 W 1.7 W 1.6 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2A 5A 6.1A

上升时间 9 ns 13 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 110pF @10V(Vds) 325pF @15V(Vds) 655pF @15V(Vds)

下降时间 4 ns 11 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 1700 mW 1.6W (Ta)

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 2 V

额定功率(Max) 1.25 W - 800 mW

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)