FDC855N
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC855N中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0207 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 655pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDC855N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDC855N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC855N | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FDC855N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC855N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23-6 N-Channel 30V 6.1A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： RTQ045N03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT6 N-Channel 30V 4.5A 420mohms | 功能相似 | 2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET | FDC855N和RTQ045N03TR的区别 |
| 型号： RTQ035N03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT6 N-Channel 30V 3.5A 550mohms | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM | FDC855N和RTQ035N03TR的区别 |
| 型号： RTQ020N03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT6 N-Channel 30V 2A | 功能相似 | RTQ020N03TR 编带 | FDC855N和RTQ020N03TR的区别 |