RSQ020N03TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSQ020N03TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 110pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSQ020N03TR引脚图与封装图 
RSQ020N03TR引脚图
RSQ020N03TR封装图
RSQ020N03TR封装焊盘图
在线购买RSQ020N03TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TSMT N-CH 30V 2A | 搜索库存 |
替代型号RSQ020N03TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSQ020N03TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT N-CH 30V 2A | 当前型号 | TSMT N-CH 30V 2A | 当前型号 |
| 型号： FDC855N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23-6 N-Channel 30V 6.1A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V | RSQ020N03TR和FDC855N的区别 |
| 型号： SI3456DDV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 6-TSOP N-Channel 30V 5A 40mΩ | 功能相似 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | RSQ020N03TR和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI3456DDV-T1-E3 品牌： 威世 封装： 6-TSOP N-CH 30V 5A 40mΩ | 功能相似 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | RSQ020N03TR和SI3456DDV-T1-E3的区别 |