PSMN8R5-60YS、PH20100S,115、PH1955L,115对比区别

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型号 PSMN8R5-60YS PH20100S,115 PH1955L,115

描述 NXP  PSMN8R5-60YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 VPH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FETLFPAK N-CH 55V 40A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 5

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 106 W 62.5 W 75 W

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 76A 34.3 A 40.0 A

上升时间 - - 180 ns

输入电容(Ciss) - 2264pF @25V(Vds) 1992pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W 75 W

下降时间 - - 134 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) 75W (Tc)

针脚数 4 - -

漏源极电阻 5.6 mΩ - -

阈值电压 3 V - -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -