BD675A、BD675AG、BD677A对比区别
描述 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICONNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS BD677A 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 60.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 40000 mW 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V
额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 750 750
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW
集电极最大允许电流 4A 4A -
无卤素状态 - Halogen Free -
增益频宽积 - 1 MHz -
长度 - 7.74 mm 7.8 mm
宽度 - 2.66 mm 2.7 mm
高度 11.04 mm 11.04 mm 10.8 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Bulk Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99