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BD677A

STMICROELECTRONICS  BD677A  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

NPN 复合,STMicroelectronics


得捷:
TRANS NPN DARL 60V 4A SOT32-3


欧时:
STMicroelectronics BD677A NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=60 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装


贸泽:
Darlington Transistors NPN Power Darlington


艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


安富利:
Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


富昌:
BD6xxx 系列 60 V 4 A NPN 互补功率 达林顿 晶体管 - SOT-32


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; SOT32


Verical:
Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD677A  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750


儒卓力:
**NPN DARLINGTON 60V 4A 40W SOT32 **


Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32


BD677A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD677A引脚图与封装图
BD677A引脚图

BD677A引脚图

BD677A封装图

BD677A封装图

BD677A封装焊盘图

BD677A封装焊盘图

在线购买BD677A
型号 制造商 描述 购买
BD677A ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  BD677A  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE 搜索库存
替代型号BD677A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD677A

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOT-32 NPN 60V 4A 40000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  BD677A  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

当前型号

型号: BD677AS

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 60V 4A 40000mW

完全替代

中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

BD677A和BD677AS的区别

型号: BD677ASTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 60V 4A 40000mW

完全替代

Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3Pin3+Tab TO-126 Rail

BD677A和BD677ASTU的区别

型号: BD677

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 60V 4A 40000mW

类似代替

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