FDN304PZ、NTR4101PT1G、FDN304P对比区别
型号 FDN304PZ NTR4101PT1G FDN304P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mVON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V
额定电流 -2.40 A -3.20 A -2.40 A
额定功率 - 0.21 W 0.5 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.036 Ω 0.07 Ω 52 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 500 mW 730 mW 500 mW
输入电容 1.31 nF - 1.31 nF
栅电荷 12.0 nC - 12.0 nC
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V - -200 V
栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) -2.40 A 3.20 A, -3.20 A 2.40 A
上升时间 15 ns 12.6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1310pF @10V(Vds) 675pF @10V(Vds) 1312pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 420 mW 460 mW
下降时间 25 ns 21 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 420mW (Ta) 500mW (Ta)
阈值电压 - 720 mV -
长度 2.92 mm 2.9 mm 2.92 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -