额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.40 A
额定功率 0.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 52 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 1.31 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -200 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1312pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
FDN304P引脚图
FDN304P封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDN304P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDN304P 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SuperSOT P-Channel -20V 2.4A 52mohms 1.31nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV | 当前型号 | |
型号: FDN304PZ 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23/SC-59 P-Channel -20V -2.4A 52mohms 1.31nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV | FDN304P和FDN304PZ的区别 | |
型号: NTR4101PT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel -20V 3.2A 112mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV | FDN304P和NTR4101PT1G的区别 | |
型号: FDN304PZ_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | FDN304P和FDN304PZ_NL的区别 |