额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.40 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 1.31 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -2.40 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1310pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
FDN304PZ引脚图
FDN304PZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDN304PZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDN304PZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23/SC-59 P-Channel -20V -2.4A 52mohms 1.31nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV | 当前型号 | |
型号: FDN304P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SuperSOT P-Channel -20V 2.4A 52mohms 1.31nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV | FDN304PZ和FDN304P的区别 | |
型号: NTR4101PT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 P-Channel -20V 3.2A 112mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV | FDN304PZ和NTR4101PT1G的区别 | |
型号: AO3415 品牌: 万代半导体 封装: SOT-23/SC-59 P-CH 20V 4A | 功能相似 | P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V | FDN304PZ和AO3415的区别 |