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FDN304PZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.036Ω @-2.4A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM -3 provides low RDSON and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •的SuperSOT TM-3提供低RDS(ON)和30%上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力

FDN304PZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.40 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

输入电容 1.31 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -2.40 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1310pF @10VVds

额定功率Max 460 mW

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDN304PZ引脚图与封装图
FDN304PZ引脚图

FDN304PZ引脚图

FDN304PZ封装焊盘图

FDN304PZ封装焊盘图

在线购买FDN304PZ
型号 制造商 描述 购买
FDN304PZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV 搜索库存
替代型号FDN304PZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDN304PZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23/SC-59 P-Channel -20V -2.4A 52mohms 1.31nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

当前型号

型号: FDN304P

品牌: 飞兆/仙童

封装: SuperSOT P-Channel -20V 2.4A 52mohms 1.31nF

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FDN304PZ和FDN304P的区别

型号: NTR4101PT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 P-Channel -20V 3.2A 112mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTR4101PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV

FDN304PZ和NTR4101PT1G的区别

型号: AO3415

品牌: 万代半导体

封装: SOT-23/SC-59 P-CH 20V 4A

功能相似

P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V

FDN304PZ和AO3415的区别