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IRF9Z34PBF

IRF9Z34PBF

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VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead Pb-free Available

IRF9Z34PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 88 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids -18.0 A

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF9Z34PBF引脚图与封装图
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IRF9Z34PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道 搜索库存
替代型号IRF9Z34PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRF9Z34PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-220AB P-Channel -60V -18A

当前型号

VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道

当前型号

型号： IRF9Z34NPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel 55V 19A

功能相似

P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRF9Z34PBF和IRF9Z34NPBF的区别

型号： SPP18P06PHXKSA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel 60V 18.7A

功能相似

INFINEON  SPP18P06PHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V

IRF9Z34PBF和SPP18P06PHXKSA1的区别