锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBF4391、MMBF4391LT1G、MMBF4392LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4391 MMBF4391LT1G MMBF4392LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4391  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 50 mA, 150 mA, 10 V, SOT-323, JFETON SEMICONDUCTOR  MMBF4391LT1G.  场效应管, JFETON SEMICONDUCTOR  MMBF4392LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 -30.0 V -30.0 V -30.0 V

漏源极电阻 30 Ω 30 Ω 60 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 14pF @20V(Vds) 14pF @15V(Vds) 14pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW 225 mW

输入电容 - - 14 pF

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 mA - -

长度 2.92 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99