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MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBF4391LT1G.  场效应管, JFET

N 通道 JFET,


立创商城:
N-Channel JFET Transistor


得捷:
JFET N-CH 30V SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor MMBF4391LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
This MMBF4391LT1G JFET transistor from ON Semiconductor is an uni-polar voltage-controlled device that has a very high input electrical resistance. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
MMBF4391LT1G N-channel JFET Transistor; 30 V; Idss 50 to 150mA; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBF4391LT1G  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 50 mA, 150 mA, -10 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23


MMBF4391LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -30.0 V

漏源极电阻 30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 30.0 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 14pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBF4391LT1G引脚图与封装图
MMBF4391LT1G引脚图

MMBF4391LT1G引脚图

MMBF4391LT1G封装焊盘图

MMBF4391LT1G封装焊盘图

在线购买MMBF4391LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBF4391LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBF4391LT1G.  场效应管, JFET 搜索库存
替代型号MMBF4391LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF4391LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 50mA 225mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBF4391LT1G.  场效应管, JFET

当前型号

型号: MMBF4391LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 50mA

完全替代

JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors

MMBF4391LT1G和MMBF4391LT1的区别

型号: MMBF4391

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 350mW

类似代替

ON Semiconductor MMBF4391 N通道 JFET 晶体管, Vds=0.4 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 SOT-23封装

MMBF4391LT1G和MMBF4391的区别

型号: SMMBF4391LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 225mW

类似代替

JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors

MMBF4391LT1G和SMMBF4391LT1G的区别