STB85NF55T4、STP85NF55、IPB80N06S2L-H5对比区别

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型号 STB85NF55T4 STP85NF55 IPB80N06S2L-H5

描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP85NF55  场效应管, MOSFETInfineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 80.0 A 80A

上升时间 100 ns 100 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

下降时间 35 ns 35 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.0062 Ω 0.008 Ω -

阈值电压 3 V 3 V -

漏源击穿电压 55 V 55.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 3700 pF -

额定功率(Max) - 300 W -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 9.35 mm - 9.25 mm

高度 4.6 mm - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -