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STP85NF55

STP85NF55

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STMICROELECTRONICS  STP85NF55  场效应管, MOSFET

N-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB


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N沟道 55V 80A


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Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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STP85NF55 系列 N 沟道 55 V 8 mΩ STripFET™ II 功率 MOSFET - TO-220


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# STMICROELECTRONICS  STP85NF55  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
55V,6.2mΩ,80A,N沟道功率MOSFET


STP85NF55中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

输入电容 3700 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP85NF55引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP85NF55 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP85NF55  场效应管, MOSFET 搜索库存
替代型号STP85NF55
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP85NF55

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP85NF55  场效应管, MOSFET

当前型号

型号： STB85NF55T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252-3 N-Channel 55V 40A 8mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP85NF55和STB85NF55T4的区别

型号： HUF75345P3

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 55V 75A 7mohms 4nF

功能相似

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STP85NF55和HUF75345P3的区别