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STB85NF55T4

STB85NF55T4

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB85NF55T4, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
55V,80A,N沟道MOSFET


STB85NF55T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB85NF55T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB85NF55T4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB85NF55T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB85NF55T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 40A 8mΩ

当前型号

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STB140NF55T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ

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型号: STP85NF55

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ

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品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ 3.7nF

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STB85NF55T4和STB85NF55LT4的区别