TLV2432CDR、TLV2432QDRG4Q1、TLC2272AQPWRQ1对比区别

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型号 TLV2432CDR TLV2432QDRG4Q1 TLC2272AQPWRQ1

描述 双路高级 LinCMOS 和轨到轨输出 10V 运算放大器 8-SOIC 0 to 70高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出，宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨运算放大器 ADVANCED LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

供电电流 100 µA 200 µA 2.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 725 mW 525 mW

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 500 kHz 500 kHz -

转换速率 250 mV/μs 250 mV/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 0.55 MHz 550 kHz 2.18 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

增益带宽 0.55 MHz 550 kHz 2.25 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 525 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

共模抑制比 70 dB - 70 dB

过温保护 - - No

工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 10V - -

电源电压(Max) 10 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

长度 - - 3 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 1.15 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -