TLV2432QDRG4Q1
TI(德州仪器)
电子元器件分类
TLV2432QDRG4Q1中文资料参数规格
技术参数
供电电流 200 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 725 mW
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 500 kHz
转换速率 250 mV/μs
增益频宽积 550 kHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
增益带宽 550 kHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2432QDRG4Q1引脚图与封装图 
TLV2432QDRG4Q1封装图
TLV2432QDRG4Q1封装焊盘图
在线购买TLV2432QDRG4Q1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2432QDRG4Q1 | TI 德州仪器 | 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出，宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
替代型号TLV2432QDRG4Q1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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