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BC848ALT1G、BC848BLT1G、BC848ALT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848ALT1G BC848BLT1G BC848ALT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFEON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 200 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 100 MHz 100 MHz -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 -

直流电流增益(hFE) 110 200 -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

长度 3.04 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 2.64 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -