锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC848ALT1G

BC848ALT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


得捷:
TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3


立创商城:
BC848ALT1G


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE


艾睿:
This specially engineered NPN BC848ALT1G GP BJT from ON Semiconductor comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
ON Semi BC848ALT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23


BC848ALT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC848ALT1G引脚图与封装图
BC848ALT1G引脚图

BC848ALT1G引脚图

BC848ALT1G封装焊盘图

BC848ALT1G封装焊盘图

在线购买BC848ALT1G
型号 制造商 描述 购买
BC848ALT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE 搜索库存
替代型号BC848ALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC848ALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE

当前型号

型号: BC848ALT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA

完全替代

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

BC848ALT1G和BC848ALT1的区别

型号: BC847CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC848ALT1G和BC847CLT1G的区别

型号: BC848BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE

BC848ALT1G和BC848BLT1G的区别