BST52,115、BST52,135、BST51,135对比区别

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型号 BST52,115 BST52,135 BST51,135

描述 NXP  BST52,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFESOT-89 NPN 80V 1ASOT-89 NPN 60V 1A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.3 W 1.3 W 1300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 60 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W 1.3 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 200 MHz 200 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) 1300 mW 1300 mW 1300 mW

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 1000 - -

高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

长度 4.6 mm - -

宽度 2.6 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -