BST52,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BST52,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
BST52,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BST52,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BST52,115 | NXP 恩智浦 | NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE | 搜索库存 |
替代型号BST52,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST52,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-89 NPN 1300mW | 当前型号 | NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE | 当前型号 |
| 型号： BST52,135 品牌： 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 1300mW | 完全替代 | SOT-89 NPN 80V 1A | BST52,115和BST52,135的区别 |
| 型号： BST52TA 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 NPN 80V 500mA 1000mW | 功能相似 | BST52TA 编带 | BST52,115和BST52TA的区别 |