BST52,135
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BST52,135中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BST52,135引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BST52,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST52,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 1300mW | 当前型号 | SOT-89 NPN 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BST52,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-89 NPN 1300mW | 完全替代 | NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE | BST52,135和BST52,115的区别 |
| 型号： BST51,135 品牌： 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 1300mW | 类似代替 | SOT-89 NPN 60V 1A | BST52,135和BST51,135的区别 |