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BCP56、BCP56T1G、BCP56T/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56 BCP56T1G BCP56T/R

描述 BCP56ON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFETRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 NPN NPN -

耗散功率 640 mW 1.5 W -

频率 - 130 MHz -

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 1.5 W -

直流电流增益(hFE) - 250 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.5 W -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.57 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -