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BCP56
NXP 恩智浦 主动器件

BCP56

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching. 描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关。

BCP56中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 640 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP56引脚图与封装图
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型号: BCP56

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223/SC-73 NPN 640mW

当前型号

BCP56

当前型号

型号: BCP56T/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 80V 1A

完全替代

TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Power

BCP56和BCP56T/R的区别

型号: BCP56T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE

BCP56和BCP56T1G的区别

型号: BCP56,115

品牌: 安世

封装:

功能相似

Nexperia BCP56,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 180 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装

BCP56和BCP56,115的区别