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MMBT3904LT1、MMBT3904LT3G、MMBT3904-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904LT1 MMBT3904LT3G MMBT3904-TP

描述 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor (NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管MMBT3904 系列 NPN 150 mW 40 V 表面贴装 通用 放大器 - SOT-523-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 100 mA

极性 - NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 300 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 350 mW

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -