额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
耗散功率 225 mW
最小电流放大倍数hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBT3904LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBT3904LT1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23 40V 200mA 300mW | 当前型号 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor NPN Silicon | 当前型号 | |
型号: MMBT3906LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -40V -200mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE | MMBT3904LT1和MMBT3906LT1G的区别 | |
型号: MMBT3904LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3904LT3G. 射频双极性晶体管 | MMBT3904LT1和MMBT3904LT3G的区别 | |
型号: BSR17A 品牌: 安森美 封装: SOT-23 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor BSR17A , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:100, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT3904LT1和BSR17A的区别 |