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MMBT3904LT1

MMBT3904LT1

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor NPN Silicon

Features

•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

•S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable


得捷:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN GENERAL PURPOSE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.9A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


MMBT3904LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

耗散功率 225 mW

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MMBT3904LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT3904LT1
型号 制造商 描述 购买
MMBT3904LT1 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor NPN Silicon 搜索库存
替代型号MMBT3904LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT3904LT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 40V 200mA 300mW

当前型号

通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor NPN Silicon

当前型号

型号: MMBT3906LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -40V -200mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE

MMBT3904LT1和MMBT3906LT1G的区别

型号: MMBT3904LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管

MMBT3904LT1和MMBT3904LT3G的区别

型号: BSR17A

品牌: 安森美

封装: SOT-23 350mW

类似代替

ON Semiconductor BSR17A , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:100, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装

MMBT3904LT1和BSR17A的区别