APTM50AM70FT1G、APTM50H15FT1G、APTM60A11FT1G对比区别

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型号 APTM50AM70FT1G APTM50H15FT1G APTM60A11FT1G

描述 相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Through Hole Screw

封装 SP-1 SP-1 SP-1

引脚数 12 - -

漏源极电阻 - 130 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 208 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 50A 25A 40A

上升时间 70 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 5448pF @25V(Vds) 10552pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 390 W 208 W 390 W

下降时间 50 ns 26 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 100 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 390000 mW - -

封装 SP-1 SP-1 SP-1

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free